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CsI

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TI:CsI是最明亮的閃爍體之一。 它的大部分發(fā)射都在光譜的長波部分(> 500nm),非常適合光電二極管讀出。TI:CsI晶體光產(chǎn)率高,無解理面,熔點(diǎn)低,易于生長。它具有良好的光學(xué)性能、力學(xué)性能、物理化學(xué)穩(wěn)定性和較高的光電轉(zhuǎn)換效率。它是一種綜合性能優(yōu)良的閃爍體。它在安全檢測、中微子探測、中微子探測、γ射線、XCT等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

純CsI也是閃爍體,但表現(xiàn)出相當(dāng)不同的性質(zhì)。它顯示出快速(~10ns)發(fā)射,峰值在310nm,但其在室溫下的閃爍產(chǎn)率非常低。但是它在77k下的光產(chǎn)額達(dá)到了令人印象深刻的100000 ph/MeV,這使得純CsI成為一種非常有吸引力的低溫探測器應(yīng)用閃爍體。

摻鈉碘化銫(Na:CsI)是一種重要的堿金屬鹵化物無機(jī)閃爍體,廣泛用作激光刺激透明薄膜和X射線探測材料。Na:CsI的峰值發(fā)射波長為420nm,衰減時間約為630北美與有機(jī)閃爍體相比,無機(jī)閃爍體Na:CsI具有較高的發(fā)光強(qiáng)度和有效原子序數(shù)。近年來,人們發(fā)現(xiàn)Na:CsI是一種很有前途的暗物質(zhì)科學(xué)探測材料。

特點(diǎn) 應(yīng)用
  • 與硅光電二極管匹配
  • 高產(chǎn)量
  • 低熔點(diǎn)
  • 容易成長
  • 良好的光學(xué)和機(jī)械性能
  • 良好的物理和化學(xué)穩(wěn)定性
  • 光電轉(zhuǎn)換效率高
  • 安全檢查
  • 中微子的探測
  • 中微子_射線的探測
  • XCT
  • PET
  • 位置靈敏探測器
  • 地質(zhì)勘探
  • 工業(yè)CT攝像機(jī)

 

材料特性

材料CsICsI:TICsI:Na
密度 (g/cm3)4.534.514.51
熔點(diǎn) (℃)894894621
硬度 (Mho)222
吸濕性輕微輕微輕微
切割NoNoNo
折射率1.951.81.8

閃爍性質(zhì)

材料CsICsI:TICsI:Na
輻射長度(cm)1.861.862.43
衰減常數(shù)(ns)16900630
發(fā)射峰(nm)315550550
光輸出 (Ph/MeV) (300K)10006000041000
余輝(@75ms)/0.5-5.00.5-5.0

CsI閃爍晶體光譜

CsI decay time curve
CsI衰減時間曲線
X-ray radioluminscence spectra
X射線輻射發(fā)光光譜
CsI scintillator crystal A-41 X-Ray 30KV 5mA cooling RL
CsI 閃爍體晶體 A-41 X-Ray 30KV 5mA 冷卻 RL

CsI:TI閃爍晶體光譜

PMT:R1306 ; Reflector Teflon(0.8mm); Radiation source Cs137 HV:650V Light Output:59000 ph/MeV; Energy resolution:7.3%-1PMT:R1306 ; Reflector Teflon(0.8mm); Radiation source Cs137 HV:650V Light Output:59000 ph/MeV; Energy resolution:7.3%-2PMT:R1306 ; Reflector Teflon(0.8mm); Radiation source Cs137 HV:650V Light Output:59000 ph/MeV; Energy resolution:7.3%-3
PMT:R1306 ; 反射器L: 聚四氟乙烯(0.8mm); 輻射源 Cs137 HV:650V 光輸出:59000 ph/MeV; 能量分辨率:7.3%

CsI相關(guān)的應(yīng)用:

X射線探測 γ射線探測
醫(yī)學(xué)CT PET

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